Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Từ điện trở khổng lồ”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
TuHan-Bot (thảo luận | đóng góp)
n Robot: Sửa đổi hướng
Cheers!-bot (thảo luận | đóng góp)
n using AWB
Dòng 1:
'''Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ''' ([[tiếng Anh]]: '''''Giant magnetoresistance''''', viết tắt là '''''GMR''''') là sự thay đổi lớn của [[điện trở]] ở các [[vật liệu từ]] dưới tác dụng của [[từ trường]] ngoài. Tên gọi gốc tiếng Anh của GMR là "Giant magnetoresistance", dịch sang tiếng Việt còn chưa thống nhất (giữa từ "lớn" hay "khổng lồ") do việc so sánh với tên gọi một [[hiệu ứng từ điện trở]] khác có tên tiếng Anh là "''Colossal magnetoresistance''" (Từ "''Colossal''" có nghĩa còn lớn hơn với "''Giant''"). Vì thế, những nhà nghiên cứu [[khoa học vật liệu]], [[vật lý chất rắn]] ở Việt Nam gọi tắt chung hiệu ứng này là GMR. [[Tập tin: GMR.svg|nhỏ|phải|300px|Kết quả về hiệu ứng từ điện trở khổng lồ trong các siêu mạng Fe/Cr phát hiện bởi nhóm của Albert Fert]]
Độ lớn của GMR được thể hiện qua tỉ số từ điện trở:
 
Dòng 7:
GMR là một [[hiệu ứng từ điện trở]] nhưng là một hiệu ứng [[cơ học lượng tử|lượng tử]] khác với [[hiệu ứng từ điện trở]] thông thường được nghiên cứu từ cuối [[thế kỷ 19]]. Hiệu ứng này lần đầu tiên được phát hiện vào năm [[1988]].
Nhóm nghiên cứu của [[Albert Fert]] ở Đại học Paris-11 trên các [[siêu mạng]] Fe(001)/Cr(001) cho tỉ số từ trở tới vài chục %.
Nhóm nghiên cứu của [[Peter Grünberg]] ở Trung tâm Nghiên cứu Jülich (Đức) phát hiện ứng này trên [[màng mỏng]] kiểu "bánh kẹp" (sandwich) 3 lớp Fe(12nm12 nm/Cr(1  nm)/Fe(12  nm) chế tạo bằng phương pháp [[epitaxy chùm phân tử]] trên đế [[GaAs]]. Hai tác giả này đã nhận giải thưởng Nobel Vật lý năm 2007 cho phát minh này.
 
Đây là hai nhóm độc lập nghiên cứu và phát hiện ra hiệu ứng GMR trên các màng đa lớp có các lớp [[sắt từ]] bị phân cách bởi lớp [[phản sắt từ]] hoặc phi từ, đồng thời đưa ra các giả thiết để giải thích hiệu ứng này.
Dòng 15:
 
==Cơ chế của hiệu ứng GMR==
[[Điện trở]] của các [[chất rắn]] được tạo ra do sự [[tán xạ]] của [[electron|điện tử]], và có các đóng góp cho sự tán xạ này gồm: [[Tập tin: Spin-valve GMR.svg|nhỏ|phải|300px|Mô hình hai dòng của Mott để giải thích hiệu ứng GMR]]
* Tán xạ trên [[cấu trúc tinh thể|mạng tinh thể]] do dao động mạng tinh thể gọi là tán xạ trên [[phonon]].
* Tán xạ trên [[spin]] của các phần tử mang từ tính, gọi là tán xạ trên [[magnon]].
Dòng 36:
* [http://prola.aps.org/abstract/PRB/v39/i7/p4828_1 G. Binasch, P. Grünberg, F. Saurenbach, W. Zinn, Phys. Rev. B 39 (1989) 4828.]
* [http://prola.aps.org/abstract/PRL/v68/i25/p3745_1 A. E. Berkowitz, J. R. Mitchell, M. J. Carey, A. P. Young, S. Zhang, F. E. Spada, F. T. Parker, A. Hutten, G. Thomas, Phys. Rev. Lett. 68 (1992) 3745.]
 
[[Thể loại:Vật lý học]]
[[Thể loại:Từ học]]
Hàng 42 ⟶ 43:
[[Thể loại:Từ điện trở]]
[[Thể loại:Điện tử học spin]]
 
{{Liên kết chọn lọc|ru}}