Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Vi mạch”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
nKhông có tóm lược sửa đổi
nKhông có tóm lược sửa đổi
Dòng 7:
 
Hiện nay, công nghệ silicon đang tính tới những giới hạn của vi mạch tích hợp và các nhà nghiên cứu đang nỗ lực tìm ra một loại [[vật liệu]] mới có thể thay thế công nghệ silicon này.
 
== Lịch sử ==
Sự phát triển sớm nhất của mạch tích hợp quay trở lại năm 1949, khi kỹ sư người Đức [[Werner Jacobi]] ([[Siemens AG]]) nộp bằng sáng chế cho một thiết bị khuếch đại bán dẫn giống như mạch như tích hợp, có 5 [[transistor]] trên một bề mặt chung cho bộ khuếch đại 3 tầng, làm dụng cụ trợ thính.
 
Ngày 12 tháng Chín 1958, người Mỹ [[Jack Kilby]] ở [[Texas Instruments]] trình bày vi mạch đầu tiên.<ref>Jack S. Kilby, Miniaturized Electronic Circuits, United States Patent Office, US Patent 3,138,743, filed 6 February 1959, issued 23 June 1964.</ref> Kilby sau đó giành được [[giải thưởng Nobel Vật lý]] năm 2000.
 
Nửa năm sau sự kiện Kilby, [[Robert Noyce]] ở [[Fairchild Semiconductor]] phát triển ý tưởng của riêng mình về một mạch tích hợp giải quyết được nhiều vấn đề thực tế mà Kilby đã không làm được. Thiết kế Noyce được làm bằng [[silicon]], trong khi chip Kilby làm bằng [[germanium]]. Noyce thông tin cho [[Kurt Lehovec]] ở [[Sprague Electric]] về các nguyên tắc của [[tiếp giáp p-n]] cô lập gây ra bởi tác động của một [[tiếp giáp p-n]] có thiên áp (diode), là một khái niệm quan trọng về IC.
 
[[Fairchild Semiconductor]] cũng là quê hương của công nghệ vi mạch silicon-gate đầu tiên với cổng tự liên kết (self-aligned gate), cơ sở của tất cả các chip CMOS của máy tính hiện đại. Công nghệ này được phát triển bởi nhà vật lý người Ý [[Federico Faggin]] vào năm 1968, người sau đó đã gia nhập [[Intel]] và phát triển các đơn chip [[Central Processing Unit]] (CPU) (Intel 4004) đầu tiên, và ông nhận ''Huy chương Quốc gia về Công nghệ và Đổi mới năm 2010''.
 
== Phân loại ==