Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Vi mạch”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
nKhông có tóm lược sửa đổi |
nKhông có tóm lược sửa đổi |
||
Dòng 7:
Hiện nay, công nghệ silicon đang tính tới những giới hạn của vi mạch tích hợp và các nhà nghiên cứu đang nỗ lực tìm ra một loại [[vật liệu]] mới có thể thay thế công nghệ silicon này.
== Lịch sử ==
Sự phát triển sớm nhất của mạch tích hợp quay trở lại năm 1949, khi kỹ sư người Đức [[Werner Jacobi]] ([[Siemens AG]]) nộp bằng sáng chế cho một thiết bị khuếch đại bán dẫn giống như mạch như tích hợp, có 5 [[transistor]] trên một bề mặt chung cho bộ khuếch đại 3 tầng, làm dụng cụ trợ thính.
Ngày 12 tháng Chín 1958, người Mỹ [[Jack Kilby]] ở [[Texas Instruments]] trình bày vi mạch đầu tiên.<ref>Jack S. Kilby, Miniaturized Electronic Circuits, United States Patent Office, US Patent 3,138,743, filed 6 February 1959, issued 23 June 1964.</ref> Kilby sau đó giành được [[giải thưởng Nobel Vật lý]] năm 2000.
Nửa năm sau sự kiện Kilby, [[Robert Noyce]] ở [[Fairchild Semiconductor]] phát triển ý tưởng của riêng mình về một mạch tích hợp giải quyết được nhiều vấn đề thực tế mà Kilby đã không làm được. Thiết kế Noyce được làm bằng [[silicon]], trong khi chip Kilby làm bằng [[germanium]]. Noyce thông tin cho [[Kurt Lehovec]] ở [[Sprague Electric]] về các nguyên tắc của [[tiếp giáp p-n]] cô lập gây ra bởi tác động của một [[tiếp giáp p-n]] có thiên áp (diode), là một khái niệm quan trọng về IC.
[[Fairchild Semiconductor]] cũng là quê hương của công nghệ vi mạch silicon-gate đầu tiên với cổng tự liên kết (self-aligned gate), cơ sở của tất cả các chip CMOS của máy tính hiện đại. Công nghệ này được phát triển bởi nhà vật lý người Ý [[Federico Faggin]] vào năm 1968, người sau đó đã gia nhập [[Intel]] và phát triển các đơn chip [[Central Processing Unit]] (CPU) (Intel 4004) đầu tiên, và ông nhận ''Huy chương Quốc gia về Công nghệ và Đổi mới năm 2010''.
== Phân loại ==
|