Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Transistor hiệu ứng trường”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
nKhông có tóm lược sửa đổi
nKhông có tóm lược sửa đổi
Dòng 12:
}}
 
'''Transistor hiệu ứng trường''' (FET) là ''phần[[linh tửkiện bán dẫn]]'' có sử dụng [[điện trường]] để kiểm soát tác động đến độ dẫn của kênh dẫn của vật liệu bán dẫn. FET là [[transistor]] đơn cực nên chúng liên quan đến hoạt động của phần tử tải điện đơn. Khái niệm của FET có trước ''transistor lưỡng cực'' (BJT), nhưng nó không được thực hiện cho đến khi BJT gặp những hạn chế của vật liệu bán dẫn và do cả sản xuất BJT tương đối dễ so với FET vào thời điểm đó.<ref>[http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated]. [[:en:Computer History Museum|''Computer History Museum'']], 2014. Truy cập 01 Apr 2014.</ref>
 
== Nguyên lý hoạt động ==