Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Diode quang”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
nKhông có tóm lược sửa đổi |
nKhông có tóm lược sửa đổi |
||
Dòng 26:
Thông thường thì điốt có dòng điện dò, ở photodiode gọi là ''dòng tối'', là dòng khi không có [[photon]] chiếu vào. Dòng điện qua photodiode là tổng của dòng quang điện và dòng dò. Để tăng độ nhạy [[cảm biến]] thì công nghệ chế tạo phải hạn chế được dòng dò.<ref>Filip Tavernier, Michiel Steyaert. High-Speed Optical Receivers with Integrated Photodiode in Nanoscale CMOS Springer, 2011 ISBN 1-4419-9924-8, Chapter 3 From Light to Electric Current - The Photodiode.</ref>
[[Hiệu ứng quang điện]] là hiện tượng gắn liền với [[chất bán dẫn]],
== Các đặc trưng hoạt động ==
Dòng 61:
=== Chế độ tuyết lở ===
''Photodiode tuyết lở'' (Avalanche) làm việc với thiên áp ngược đủ lớn, dẫn đến khi [[photon]] tạo cặp điện tử-lỗ trống xảy ra thì sự tăng tốc do điện trường đủ mạnh sẽ kích thích vụ tạo cặp khác theo dạng sự cố sạt lở tuyết. Nó làm tăng độ khuếch đại và đặc trưng đáp ứng với sự kiện.
[[File:PhototransistorSymbol.png|100px|thumb|Ký hiệu phototransistor]]
=== Phototransistor ===
''Phototransistor'' là transistor đóng vỏ có cửa trong suốt để [[photon]] xâm nhập. Về công nghệ chế tạo thì đương nhiên các biện pháp hạn chế dòng dò và nhiễu được áp dụng. <ref>[http://www.smecc.org/phototransistor.htm The phototransistor.] Bell Laboratories RECORD. May 1950. Retrieved 01 Apr 2015.</ref>
* Trong phototransistor lưỡng cực thì khi [[photon]] xâm nhập [[tiếp giáp base–collector]] các điện tử được tạo ra sẽ xâm nhập tiếp vào vùng base và được khuếch đại với ''hệ số khuếch đại dòng'' β (hoặc h<sub>fe</sub>). Nó có đặc trưng đáp ứng lâu hơn và phản ứng kém với cường độ sáng thấp. Nếu emitter để trống thì nó làm việc như photodiode thông thường.
* Trong phototransistor FET hay photoFET, thì [[photon]] xâm nhập kênh dẫn sẽ điều khiển dòng drain theo cơ chế như điện áp cực gate.
==Tham khảo==
Hàng 88 ⟶ 89:
[[Thể loại:Thiết bị điện]]
[[Thể loại:Mạch điện tử]]
| |||