Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM động”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Không có tóm lược sửa đổi |
Chỉnh sửa bởi nhóm 5 - APCS - 14CTT - CS201 |
||
Dòng 11:
== Nguyên lý hoạt động ==
== Các dạng của DRAM ( RAM động ) ==
Vì lý do tài chính, phần lớn bộ nhớ trong máy tính hay các thiết bị chơi game không cầm tay như PlayStation, Xbox thường đều nằm trong RAM động ( DRAM ) . Trong khi đó thì những phần khác của máy tính thì bộ nhớ đều hầu hết chứa trong SRAM
Dòng 20:
* '''DRAM Chip'''
Dạng hai đường kẻ song song ( DIP )
* '''Mẫu bộ nhớ DRAM'''
** Pin đơn ( SIPP)
** Bộ nhớ đơn ( SIMM )
** Bộ nhớ đôi ( DIMM)
** Bộ nhớ Rambus ( RIMM ). Gần như tương tự với bộ nhớ DIMM nhưng được gọi la RIMM và số lượng ô nhớ của nó
** Bộ nhớ đôi dạng nhỏ (SO-DIMM ) .Bằng một nữa dung lượng của DIMM
** Bộ nhớ đôi Rambus dạng nhỏ ( SO-RIMM). Cũng tương tự như RIMM nhưng nhỏ hơn RIMM, thường được dùng trong laptop
* Mẫu RAM có ngăn xếp và không có ngăn xếp
** RAM có ngăn xếp gồm hai chip RAM đặt chồng lên nhau. Nó sẽ giúp những mẫu RAM lớn có thể hoạt động dù xài những tấm siliocon mỏng và rẻ. RAM có ngăn xếp sử dụng nhiều năng lượng hơn và có xu hướng nóng hơn khi sử dụng so với loại RAM không có ngăn xếp
** RAM ngăn xếp đang ngày càng được ít sử dụng bởi hiện nay TSV ra đời vớ nhiều chức năng, chứa nhiều dữ liệu và chạy nhanh hơn
=== Các mẫu RAM phổ biến ===
* DIP 16-pin (DRAM chip )
* SIPP 30-pin (thường dùng cho FPRAM)
* SIMM 30-pin (thường dùng cho FPRAM)
* SIMM 72-pin (thường xuất dữ liệu ra DRAM (EDO DRAM) nhưng FPRAM thì không được sử dụng phổ biến)
* DIMM 168-pin ( SDRAM )
* DIMM 184-pin (DDR SDRAM)
* RIMM 184-pin (RDRAM)
* DIMM 240-pin (DDR2 SDRAM and DDR3 SDRAM)
* DIMM 288-pin (DDR4 SDRAM)
Các mẫu SO-DIMM DRAM:
* 72-pin (32-bit)
* 144-pin (64-bit) dùng cho SO-DIMM SDRAM
* 200-pin (72-bit) dùng cho SO-DIMM DDR SDRAM và SO-DIMM DDR2 SDRAM
* 204-pin (64-bit) dùng cho SO-DIMM DDR3 SDRAM
* 260-pin dùng cho SO-DIMM DDR4 SDRAM
=== Độ lớn bộ nhớ của DRAM ===
Bộ nhớ của DRAM luôn ở dưới dạng lũy thừa của hai. Chẳng hạn SDRAM DIMM chứa 512 MiB (mebibytes) =512 × 2<sup>20</sup> bytes = 2<sup>29</sup> bytes = 536,870,912 bytes. Hay 2 GB SDRAM module chứa 2 GiB (gibibytes) = 2 × 2<sup>30</sup> bytes = 2<sup>31</sup> bytes = 2,147,483,648 bytes.
== Bảo mật ==
Mặc dù RAM động thường được sử dụng khi cung cấp nặng lượng và hay thay đổi sau một khoảng thời gian ngắn ( thường là 64ms ) nhưng các tụ điện trong RAM động thường có xu hướng nhớ dữ liệu trong một khoảng thời gian lâu hơn và với một nhiệt độ thấp. Dưới một số điều kiện phần lớn dữ liệu trong DRAM có thể được khôi phục cho dù nó được không được làm mới trong một vài phút.
This property can be used to circumvent security and recover data stored in memory and assumed to be destroyed at power-down by quickly rebooting the computer and dumping the contents of the RAM, or by cooling the chips and transferring them to a different computer. Such an attack was demonstrated to circumvent popular disk encryption systems, such as the open source TrueCrypt, Microsoft's BitLocker Drive Encryption, and Apple's FileVault.<sup>[26]</sup> This type of attack against a computer is often called a cold boot attack.
Chức nặng này có thể đánh lừa các hệ thống bảo mật và khôi phục dữ liệu chứa trong bộ nhớ mặc dù cho rằng dữ liệu đó đã bị xóa ( như do vần đề cúp điện nếu chúng ta khởi động lại máy làm nguội con chip đồng thời chuyển đến một máy tính khác ). Một cuộc tấn công như thế có thể đánh lừa việc mã hóa của hệ thống trong máy. Chẳng hạn như các nguồn mở TrueCrypt, Microsoft's BitLocker Drive Encryption và Apple's FileVault. Những cuộc tấn công như vậy được gọi là "khởi động và làm nguội ".
== So sánh với các loại bộ nhớ khác ==
| |||