Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM động”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n Phát hiện và sửa lỗi |
|||
Dòng 35:
Một bộ điều khiển bộ nhớ ECC khả dụng được dùng trong nhiều máy tính cá nhân hiện nay có thể phát hiện và sửa một lỗi đơn dữ liệu mỗi 64-bit,và phát hiện(nhưng không sửa )lỗi 2 bits mỗi 64-bit. Một vài hệ thống cũng "lọc" những lỗi này,bằng cách sửa phiên bản hiện tại trở lại bộ nhớ. Phần nhận biết ECC của một vài máy tính và ECC nhận biết của hệ thống,như Linux,cho phép đếm số lần phát hiện và sửa lỗi bộ nhớ ,giúp hệ thống có thể nhận dạng và thay thế mô-đun bộ nhớ bị hỏng.[[File:Square array of mosfet cells write.png|thumb|250px|right|Ghi]]
===Tốc độ làm mới===
Thông thường, các nhà máy chỉ định mỗi hàng phải có tụ điện tế bào lưu trữ của nó được làm mới mỗi 64 ms hoặc ít hơn, như được định nghĩa bởi [[JEDEC]]. Làm mới được cung cấp trong mỗi DRAM điều khiển tự động làm mới định kỳ, mà không có phần mềm hoặc phần cứng có thể thực hiện. Điều này làm cho mạch điều khiển thêm phức tạp, nhưng nhược điểm là nó nặng bởi thực tế là DRAM rẻ hơn nhiều so với tế bào lưu trữ and mỗi tế bào lưu trữ thì đơn giản, DRAM có nhiều dung lượng trên mỗi đơn vị bề mặt hơn SRAM.
== Các dạng của DRAM ( RAM động ) ==
| |||