Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Diode quang”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
nKhông có tóm lược sửa đổi |
n clean up |
||
Dòng 16:
Các [[photon]] có thể là ở vùng phổ [[ánh sáng]] nhìn thấy, [[hồng ngoại]], [[tử ngoại]], [[tia X]], [[tia gamma]]. Khi [[photon]] xâm nhập lớp hoạt động của photodiode là ''[[tiếp giáp p-n]]'' hoặc ''cấu trúc PIN'', sẽ tạo ra [[điện tích]] làm phát sinh [[dòng điện]]. Tùy theo cách thức chế tạo, mà dòng điện này nhỏ và photodiode dùng làm ''[[cảm biến]] photon'', hay dòng điện đủ lớn để làm nguồn điện như trong ''[[pin mặt trời]]''.
''[[Cảm biến]] photodiode'' có ứng dụng rộng rãi trong [[kỹ thuật điện tử]], đặc biệt là các thiết bị đo đạc, giám sát, truyền dẫn thông tin, điều khiển,... Chúng được chế tạo từ dạng đơn lẻ để [[cảm biến]] trạng thái nào đó như giấy trong khay của máy in còn hết, đến dạng tích hợp mảng lớn (Array) như ''[[cảm biến ảnh]]'' với hàng triệu phần tử.
Để làm việc với vùng phổ ánh sáng chọn lọc thì các ''màng lọc'' phù hợp được phủ lên bề mặt photodiode.
Dòng 22:
== Nguyên lý hoạt động ==
Photodiode được làm bằng một số [[chất bán dẫn]] liệt kê dưới đây, và vùng phổ ánh sáng làm việc. Phạm vi của các ánh sáng nhìn thấy là từ 380
{| class="wikitable"
Dòng 62:
=== Đáp ứng thời gian ===
''Đáp ứng thời gian'' (Response time) phản ánh mức độ dòng quang điện bắt kịp thay đổi quang thông, và có thể xác định theo quy tắc Ramo.
=== Mức ồn ===
Dòng 82:
[[File:PhototransistorSymbol.png|100px|thumb|Ký hiệu phototransistor]]
=== Phototransistor ===
''Phototransistor'' là transistor đóng vỏ có cửa trong suốt để [[photon]] xâm nhập. Về công nghệ chế tạo thì đương nhiên các biện pháp hạn chế dòng dò và nhiễu được áp dụng.
* Trong phototransistor lưỡng cực thì khi [[photon]] xâm nhập [[tiếp giáp base–collector]] các điện tử được tạo ra sẽ xâm nhập tiếp vào vùng base và được khuếch đại với ''hệ số khuếch đại dòng'' β (hoặc h<sub>fe</sub>). Nó có đặc trưng đáp ứng lâu hơn và phản ứng kém với cường độ sáng thấp. Nếu emitter để trống thì nó làm việc như photodiode thông thường.
* Trong phototransistor FET hay photoFET, thì [[photon]] xâm nhập kênh dẫn sẽ điều khiển dòng drain theo cơ chế như điện áp cực gate.
| |||