Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM động”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n →Phát hiện và sửa lỗi: replaced: lí → lý (2) using AWB |
|||
Dòng 5:
DRAM được phát minh bởi tiến sĩ [[Robert Dennard]] tại [[Trung tâm nghiên cứu Thomas J. Watson]] [[IBM]] vào năm 1966 và được cấp bằng sáng chế năm 1968. Tụ điện đã được dùng trong những sơ đồ bộ nhớ đời đầu như: drum của [[Atanasoff-Berry Computer]], [[ống Williams]] và [[ống Selectron]].
Vào năm 1969, [[Honeywell]] yêu cầu [[Intel]] chế tạo cho họ bộ nhớ DRAM sử dụng một cell 3 transistor mà họ vừa phát triển. Nó đã trở thành Intel 1102 (1024x1) vào đầu những năm 1970. Tuy nhiên 1102 gặp nhiều lỗi, điều đó khiến Intel bắt đầu làm việc trên những mẫu thiết kế có cải tiến của riêng họ (việc này được tiến hành bí mật nhằm tránh động chạm tới Honeywell). Chính điều này đã dẫn tới sự ra đời của DRAM thương mại đầu tiên có cell 1 transistor - Intel 1103 (1024x1) vào tháng
Bộ nhớ DRAM đầu tiên có nhiều địa chỉ hàng/cột là [[Mostek]] MK4096 (4096x1) năm 1973.
| |||