Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Transistor hiệu ứng trường”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
nKhông có tóm lược sửa đổi |
nKhông có tóm lược sửa đổi |
||
Dòng 8:
|invented =
|first_produced =
|symbol = [[Hình:JFET N-dep symbol.svg|65px]] [[Tập tin:IGFET P-Ch Enh Labelled.svg|80px]] [[Tập tin:IGFET P-Ch Dep Labelled.svg|80px]]<br /> [[Hình:JFET P-dep symbol.svg|65px]] [[Tập tin:IGFET N-Ch Enh Labelled.svg|80px]] [[Tập tin:IGFET N-Ch Dep Labelled.svg|80px]]
|pins = drain, gate, source
}}
| |||