Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Bộ nhớ flash”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Không có tóm lược sửa đổi |
nKhông có tóm lược sửa đổi |
||
Dòng 4:
Về mặt kỹ thuật thì bộ nhớ flash có thể được dùng như một loại [[EEPROM]] mà ở đó nó có thể được đọc/ ghi bằng điện và không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện. Có 2 kiểu bộ nhớ flash chính đã được tạo ra là NAND và NOR được cấu thành từ các [[cổng logic]]. Bộ nhớ flash được cấu thành từ các phần tử (cell) nhớ riêng rẽ với các đặc tính bên trong giống như những cổng logic tương ứng đã tạo ra nó; do đó, ta có thể thực hiện thao tác đọc/ ghi, lưu trữ dữ liệu theo từng phần tử (cell) nhớ một.
Khác với các bộ nhớ [[EPROM|EPROMs]] phải được xóa trước khi được ghi lại, thì bộ nhớ flash kiểu [[
Các chip nhớ flash nhỏ được sử dụng trong bộ nhớ dữ liệu cấu hình tĩnh của máy tính, trong máy dân dụng như tivi, quạt,... Các chip lớn thì dùng trong [[máy nghe nhạc kĩ thuật số]], [[máy ảnh số|máy ảnh kĩ thuật số]], [[điện thoại di động]]. Nó cũng được sử dụng trên các máy trò chơi, thay thế cho [[EEPROM]], hoặc cho [[RAM tĩnh]] nuôi bằng pin để lưu dữ liệu của trò chơi.
Dòng 11:
== Lịch sử ==
''Bộ nhớ flash'' được Toshiba đưa ra năm 1984 làm [[EEPROM]], cho phép đọc ghi từng byte khác với các [[EPROM]] tiền nhiệm
== So sánh với các bộ nhớ khác ==
| |||