Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Từ điện trở chui hầm”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n Qbot: Việt hóa |
|||
Dòng 1:
'''Từ điện trở chui hầm''' hay '''Từ điện trở xuyên hầm''', ([[tiếng Anh]]: '''''Tunnelling magnetoresistance''''', thường viết tắt là '''''TMR''''') là một [[hiệu ứng từ điện trở]] xảy ra trong các [[màng mỏng|màng mỏng đa lớp]] có các lớp [[sắt từ]] được ngăn cách bởi các lớp [[điện môi]]. [[
==Mô tả hiệu ứng==
Từ điện trở chui hầm hiểu đơn giản là sự thay đổi lớn của [[điện trở suất]] xảy ra ở các [[tiếp xúc từ chui hầm]], là các [[màng mỏng]] với các lớp [[màng mỏng]] [[sắt từ]] được ngăn cách bởi lớp [[điện môi]], đóng vai trò lớp rào ngăn cách chuyển động của [[điện tử]]. Khi chiều dày lớp điện môi đủ mỏng, [[hiệu ứng chui hầm lượng tử]] sẽ xảy ra, cho phép điện tử xuyên qua rào thế của lớp điện môi, tạo thành sự dẫn điện, và do sự tán xạ trên các lớp sắt từ, điện trở của màng sẽ bị thay đổi tùy theo sự định hướng của [[mômen từ]] của các lớp [[sắt từ]].
| |||