Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM động”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n Bot: Adding {{Commonscat|RAM Modules}} |
n robot Thêm: ro:Memorie DRAM; sửa cách trình bày |
||
Dòng 2:
Vì DRAM mất dữ liệu khi không có điện nên nó thuộc loại thiết bị nhớ ''bay hơi''.
== Lịch sử ==
DRAM được phát minh bởi tiến sĩ [[Robert Dennard]] tại [[Trung tâm nghiên cứu Thomas J. Watson]] [[IBM]] vào năm 1966 và được cấp bằng sáng chế năm 1968.
Vào năm 1969, [[Honeywell]] yêu cầu [[Intel]] chế tạo cho họ bộ nhớ DRAM sử dụng một cell 3 transistor mà học vừa phát triển. Nó đã trở thành Intel 1102 (1024x1) vào đầu những năm 1970. Tuy nhiên 1102 gặp nhiều lỗi, điều đó khiến Intel bắt đầu làm việc trên những mẫu thiết kế có cải tiến của riêng họ (việc này được tiến hành bí mật nhằm tránh động chạm tới Honeywell). Chính điều này đã dẫn tới sự ra đời của DRAM thương mại đầu tiên có cell 1 transistor - Intel 1103 (1024x1) vào tháng Mười năm 1970 (mặc dù có chút vấn đề vì số lượng tiêu thụ thâp, mãi đến bản sửa đổi thứ 5).
Dòng 9:
Bộ nhớ DRAM đầu tiên có nhiều địa chỉ hàng/cột là [[Mostek]] MK4096 (4096x1) năm 1973.
== So sánh với các loại bộ nhớ khác ==
{{So sánh các loại bộ nhớ}}
== Xem thêm ==
* [[RAM]]
* [[RAM tĩnh]]
{{Commonscat|RAM Modules}}
Dòng 40:
[[pl:Pamięć dynamiczna (informatyka)]]
[[pt:Dynamic random access memory]]
[[ro:Memorie DRAM]]
[[ru:DRAM]]
[[sq:Kujtesë hyrëse e fuqishme rastësore]]
| |||