Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Phún xạ cathode”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n →‎Tham khảo: Tạm liên kết
n Sửa đổi chú thích hình ảnh
Dòng 10:
:Là kỹ thuật sử dụng hiệu điện thế xoay chiều để gia tốc cho ion khí hiếm. Nó vẫn có cấu tạo chung của các hệ phún xạ, tuy nhiên máy phát là một máy phát cao tần sử dụng [[dòng điện]] [[tần số]] [[sóng vô tuyến]] (thường là 13,56 MHz). Vì dòng điện là xoay chiều, nên nó có thể sử dụng cho các bia vật liệu không dẫn điện. Máy phát cao tần sẽ tạo ra các [[điện thế|hiệu điện thế]] xoay chiều dạng xung vuông. Vì hệ sử dụng [[điện xoay chiều|dòng điện xoay chiều]] nên phải đi qua một bộ [[phối hợp trở kháng]] và hệ [[tụ điện]] có tác dụng tăng [[công suất]] phóng điện và bảo vệ máy phát. Quá trình phún xạ có hơi khác so với phún xạ một chiều ở chỗ bia vừa bị bắn phá bởi các iôn có năng lượng cao ở nửa chu kỳ âm của hiệu điện thế và bị bắn phá bởi các [[electron]] ở nửa chu kỳ dương.
* '''Phún xạ magnetron'''
[[Tập tin:Sputtering3.PNG|nhỏ|phải|350px|Ảnh chụp thiết bị sputtering Univex 450 tại trường [[Đại học Khoa học Tự nhiên]], [[Đại học Quốc gia Thành Nộiphố Hồ Chí Minh|Đại học Quốc gia Tp. Hồ Chí Minh]]]]
Là kỹ thuật phún xạ (sử dụng cả với xoay chiều và một chiều) cải tiến từ các hệ phún xạ thông dụng bằng cách đặt bên dưới bia các [[nam châm]]. Từ trường của nam châm có tác dụng bẫy các điện tử vào trong vùng gần bia nhờ đó làm tăng hiệu ứng iôn hóa do làm tăng tần số va chạm giữa các điện tử với các nguyên tử khí ở gần bề mặt bia do đó làm tăng tốc độ lắng đọng đồng thời giảm sự bắn phá của điện tử và iôn trên bề mặt màng, giảm nhiệt độ đế và có thể tạo ra sự phóng điện ở áp suất thấp hơn. Áp suất phóng điện càng thấp thì càng giảm được nồng độ các tạp chất trong màng và tăng động năng của các nguyên tử đến lắng đọng trên màng (do quảng đường tự do trung bình (mean free path) của các nguyên tử khí càng tăng, và do đó tấn số va chạm với các nguyên tử lắng động càng giảm, khi áp suất càng thấp).