Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n Thêm tên gọi tắt + đầy đủ cho RAM tĩnh và RAM động |
đưa xuống dưới |
||
Dòng 34:
Tùy theo công nghệ chế tạo của các nước trên thế giới, được chia làm hai loại.
=== RAM tĩnh
[[Tập tin:6t-SRAM-cell.png|nhỏ|phải|267px| 6 transistor trong một ô nhớ của RAM tĩnh]]
RAM tĩnh - SRAM (Static Random Access Memory) được chế tạo theo công nghệ ECL (dùng trong CMOS và BiCMOS). Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic với 6 transistor MOS. SRAM là bộ nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung của ô nhớ và thời gian thâm nhập bằng chu kỳ của bộ nhớ. nhưng sram là một nơi lưu trữ các tập tin của CMOS dùng cho việc khởi động máy
=== RAM động
[[Tập tin:DRAM-Cell.png|nhỏ|phải|267px| 1 transistor và 1 tụ điện trong một ô nhớ của RAM động]]
RAM động - DRAM (Dynamic Random Access Memory) dùng kỹ thuật MOS. Mỗi bit nhớ gồm một transistor và một tụ điện. Việc ghi nhớ dữ liệu dựa vào việc duy trì điện tích nạp vào tụ điện và như vậy việc đọc một bit nhớ làm nội dung bit này bị hủy. Do vậy sau mỗi lần đọc một ô nhớ, bộ phận điều khiển bộ nhớ phải viết lại nội dung ô nhớ đó. Chu kỳ bộ nhớ cũng theo đó mà ít nhất là gấp đôi thời gian thâm nhập ô nhớ.
Việc lưu giữ thông tin trong bit nhớ chỉ là tạm thời vì tụ điện sẽ phóng hết điện tích đã nạp và như vậy phải làm tươi bộ nhớ sau khoảng thời gian 2μs. Việc làm tươi được thực hiện với tất cả các ô nhớ trong bộ nhớ. Công việc này được thực hiện tự động bởi một vi mạch bộ nhớ.
| |||