Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM động”

'''Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động''' ('''DRAM''' hay '''RAM động''') là một loại [[bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên]] lưu mỗi [[bit]] dữ liệu trong một [[tụ điện]] riêng biệt trên một [[mạch tích hợp]]. Vì các tụ điện bị rò điện tích nên thông tin sẽ bị mất dần trừ khi dữ liệu được nạp lại đều đặn. Đây là điểm khác biệt so với [[RAM tĩnh]]. Ưu điểm của DRAM là có cấu trúc đơn giản: chỉ cần một [[transistor]] và một tụ điện cho mỗi bit trong khi cần sáu transistor đối với SRAM. Điều này cho phép DRAM lưu trữ với mật độ cao.

 

== Lịch sử ==