Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Từ điện trở chui hầm”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Cheers!-bot (thảo luận | đóng góp)
Dòng 12:
 
==Ứng dụng của từ điện trở chui hầm==
Cùng với các thành tựu về [[Từ điện trở khổng lồ|hiệu ứng GMR]], hiệu ứng TMR là trụ cột phát triển của [[spintronics|công nghệ spintronic]]. Các tiếp xúc từ chui hầm đang được sử dụng trong các [[Spintronics|linh kiện thế hệ spintronic thứ nhất]], điển hình là các bộ nhớ [[RAM]] từ điện trở ([[MRAM]]) không tự xóa, các [[transistor]] sử dụng tiếp xúc spin chui hầm và trong các cảm biến chất lượng cao...
 
==Xem thêm==