Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Transistor hiệu ứng trường”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Không có tóm lược sửa đổi |
Không có tóm lược sửa đổi |
||
Dòng 11:
|pins = drain, gate, source
}}
'''Transistor hiệu ứng trường''' hay '''[[Transistor trường]]''', '''[[Tranzito trường]]''', viết tắt là '''FET''' ([[tiếng Anh]]: Field-effect transistor) là nhóm các [[linh kiện bán dẫn]] loại [[transistor]] có sử dụng [[điện trường]] để kiểm soát tác động đến độ dẫn của kênh dẫn của vật liệu bán dẫn. FET là [[transistor]] đơn cực nên chúng liên quan đến hoạt động của phần tử tải điện đơn <ref name= Kumar >Balbir Kumar and Shail B. Jain (2013). Electronic Devices and Circuits. PHI Learning Pvt. Ltd. p. 342–345. ISBN 9788120348448.</ref>.
Khái niệm về FET có trước [[transistor lưỡng cực]] ([[BJT]]), nhưng nó không được đưa vào ứng dụng, cho đến khi [[transistor lưỡng cực]] gặp những hạn chế của vật liệu bán dẫn và do cả sản xuất [[BJT]] tương đối dễ so với FET vào thời điểm đó. Ngày nay FET có sáu loại chính tùy theo cấu trúc và kênh dẫn là p hay n, là hai loại [[JFET]] và bốn loại [[MOSFET]] <ref name= computerhistory >[http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated]. [[:en:Computer History Museum|''Computer History Museum'']], 2014. Truy cập 01/04/2014.</ref><ref name= Kahng>D. Kahng: A historical perspective on the development of MOS transistors and related devices. In: Electron Devices, IEEE Transactions on. Band 23, Nr. 7, 1976, p. 655–657.</ref><ref>[http://voer.edu.vn/c/transistor-truong-va-linh-kien-ban-dan-nhieu-mat-ghep/5ac39975/f12e88da Transistor trường]Thư viện Học liệu Mở Việt Nam (VOER), 2013. Truy cập 15/01/2019.</ref>.
| |||