Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Từ điện trở chui hầm”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n r2.6.4) (Bot: Sửa ru:Туннельное магнетосопротивление |
|||
Dòng 5:
Hiệu ứng từ điện trở chui hầm thực chất được phát hiện từ năm [[1975]] bởi nhóm nghiên cứu của [[Michel Julliere]] khi phát hiện ra hiệu ứng này xảy ra trong hệ [[màng mỏng|màng đa lớp]] [[Fe]]/[[Ge]]/[[Co]], xảy ra ở nhiệt độ thấp tới 4,2 [[Kelvin]] với lớp [[germanium]] ([[Ge]]) đóng vai trò là một lớp [[điện môi]]<ref>[http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVM-46R3N46-10D/2/90703cfc684b0679356dce9a76b2e942 M. Julliere, ''Tunnelling between ferromagnetic films'', Phys. Lett. A 54 (1975) 225-226]</ref>.
Hiệu ứng TMR ở [[nhiệt độ phòng]] được phát hiện lần đầu tiên vào năm [[1995]] bởi nhóm nghiên cứu của [[Jagadeesh Moodera]] trên các màng mỏng CoFe/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Co với Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> đóng vai trò lớp cách điện, cho hiệu ứng MR tới 11,8% ở nhiệt độ phòng<ref>>[http://link.aps.org/abstract/PRL/v74/p3273 J. S. Moodera, Lisa R. Kinder, Terrilyn M. Wong, R. Meservey ''Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions'' Phys. Rev. Lett. 74: 3273–3276, 1995]</ref> và nhóm nghiên cứu độc lập ở [[Nhật Bản]] lãnh đạo bởi [[Terunobu Miyazaki]]<ref>[http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TJJ-460MFGV-1&_user=121723&_coverDate=01%2F02%2F1995&_alid=647142944&_rdoc=1&_fmt=summary&_orig=search&_cdi=5312&_sort=d&_docanchor=&view=c&_ct=1&_acct=C000009999&_version=1&_urlVersion=0&_userid=121723&md5=f19cacba6dc33fe8e3912c3cf7067161 T. Miyazaki, N. Tezuka, ''Giant magnetic tunneling effect in Fe/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Fe junction'', J. Magn. Magn. Mater. 139 (1995) L231-L234]</ref>, tìm thấy hiệu ứng TMR đạt tới 18% ở [[nhiệt độ phòng]] và 30% ở 4,2 [[Kelvin]] trong màng đa lớp [[Fe]]/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/[[Fe]].
Đối với các tiếp xúc từ chui hầm có 2 lớp sắt từ kẹp giữa bởi một lớp điện môi, tỉ số từ điện trở (trong trường hợp này sử dụng là TMR) phụ thuộc vào độ phân cực spin của 2 lớp (<math>P_1, P_2</math>), và được cho bởi công thức<ref>[http://www.informaworld.com/smpp/content~content=a741576309~db=all~order=page C.H. Marrow, ''Spin-polarised currents and magnetic domain walls'', Adv. Phys. 54 (2005) 585.]</ref>:
| |||