Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Từ điện trở khổng lồ”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Không có tóm lược sửa đổi |
|||
Dòng 21:
:: Các lớp [[phản sắt từ]] (ví dụ [[Cr]]) hay phi từ (ví dụ [[Cu]]) đóng vai trò ngăn cách giữa các lớp sắt từ, khiến cho mômen từ của các lớp sắt từ phải có sự định hướng khác nhau sao cho có sự cân bằng về từ độ. Sự tác động của từ trường ngoài dẫn đến việc thay đổi sự định hướng của mômen từ ở mỗi lớp, dẫn đến sự thay đổi về dòng dẫn của các spin phân cực, và dẫn đến sự thay đổi về điện trở suất.
==Ứng dụng của hiệu ứng GMR==
* Kể từ năm 1992, hiệu ứng GMR bắt đầu được ứng dụng trong các đầu đọc dữ liệu của ổ [[đĩa cứng]] [[máy tính]] thay cho các đầu đọc sử dụng hiệu ứng từ điện trở dị hướng cũ, làm tăng tốc độ đọc ghi [[thông tin]]. Người ta sử dụng các màng mỏng [[valse-spin]] để cho các ứng dụng này. Một ưu điểm khiến chúng dễ dàng thay thế là khả năng chống nhiễu và chống ồn rất cao.
* Ứng dụng trong việc chế tạo các [[cảm biến]] [[từ trường]] nhạy, các cảm biến đo [[gia tốc]]...
* Một ứng dụng lớn nhất mở ra từ hiệu ứng này là việc phát triển các linh kiện [[spintronics]], các [[linh kiện điện tử]] thế hệ mới hoạt động dựa trên việc điều khiển dòng [[spin]] của [[điện tử]]. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ, [[từ điện trở chui hầm]] là hai trụ cột của [[spintronics]].
==Đọc thêm==
* [[Hiệu ứng từ điện trở]]
| |||