Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n →Phân loại: replaced: chiều rộng → chiều rộng using AWB |
n Nhưng SRAM Thẻ: Trình soạn thảo mã nguồn 2017 |
||
Dòng 39:
[[Tập tin:6t-SRAM-cell.png|nhỏ|phải|267px| 6 transistor trong một ô nhớ của RAM tĩnh]]
RAM tĩnh - SRAM (Static Random Access Memory) được chế tạo theo công nghệ ECL (dùng trong CMOS và BiCMOS). Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic với 6 transistor MOS. SRAM là bộ nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung của ô nhớ và thời gian thâm nhập bằng chu kỳ của bộ nhớ.
=== RAM động ===
|