Khác biệt giữa bản sửa đổi của “MOSFET”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n typo (spelling)
Dòng 23:
Thông thường [[chất bán dẫn]] được chọn là [[silic]] nhưng có một số hãng vẫn sản xuất các vi mạch bán dẫn từ hỗn hợp của silic và [[gecmani| germani]] (SiGe), ví dụ như hãng [[IBM]]. Ngoài silic và germani còn có một số chất bán dẫn khác như [[gali arsenua]] có đặc tính điện tốt hơn nhưng lại không thể tạo nên các lớp oxide phù hợp nên không thể dùng để chế tạo các transistor MOSFET.
 
[[Tập tin:FET cross section.png| nhỏ| Mặt cắt ngang của một tranzitotransistor NMOS]]
[[Tập tin:Caracteristique MOSFET.svg| thumb| 300px| Đặc tuyến V-A của MOSFET kênh N.]]
[[Hình:Threshold formation nowatermark.gif| thumb| upright=1.6| Mô phỏng sự hình thành kênh nghịch đảo (mật độ điện tử) và đạt được điện áp ngưỡng (IV) trong MOSFET dây nano. Lưu ý: điện áp ngưỡng cho thiết bị này ở khoảng 0,45 V]]