'''Phún xạ''' ([[tiếng Anh]]: '''''Sputtering''''') hay '''Phún xạ [[catốt]]''' ('''''Cathode Sputtering''''') là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý truyền [[động năng]] bằng cách dùng các [[iôn]] [[khí hiếm]] được tăng tốc dưới [[điện trường]] bắn phá bề mặt [[vật liệu]] từ bia vật liệu, truyền động năng cho các [[nguyên tử]] này bay về phía đế và lắng đọng trên đế. [[Hình: Sputtering1.PNG|nhỏ|phải|350px|Nguyên lý của quá trình phún xạ]]
==Bản chất quá trình phún xạ==
Khác với [[phương pháp bốc bay bốc nhiệt]], phún xạ không làm cho vật liệu bị bay hơi do đốt nóng mà thực chất quá trình phún xạ là quá trình truyền [[động năng]]. Vật liệu nguồn được tạo thành dạng các tấm bia (target) và được đặt tại [[điện cực]] (thường là [[catốt]]), trong buồng được hút [[chân không]] cao và nạp [[khí hiếm]] với [[áp suất]] thấp (cỡ 10<sup>-2</sup> mbar). Dưới tác dụng của điện trường, các [[nguyên tử]] khí hiếm bị iôn hóa, tăng tốc và chuyển động về phía bia với [[tốc độ]] lớn và bắn phá bề mặt bia, truyền động năng cho các nguyên tử vật liệu tại bề mặt bia. Các nguyên tử được truyền động năng sẽ bay về phía đế và lắng đọng trên đế. Các nguyên tử này được gọi là các nguyên tử bị phún xạ. Như vậy, cơ chế của quá trình phún xạ là va chạm và trao đổi xung lượng, hoàn toàn khác với cơ chế của [[phương pháp bay bốc nhiệt]] trong chân không. [[Hình: Sputtering2.PNG|nhỏ|phải|350px|Sơ đồ nguyên lý hệ phún xạ catốt xoay chiều]]
