Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Từ điện trở chui hầm”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Không có tóm lược sửa đổi |
|||
Dòng 1:
'''Từ điện trở chui hầm''' hay '''Từ điện trở xuyên hầm''', ([[tiếng Anh]]: '''''Tunnelling magnetoresistance''''', thường viết tắt là '''''TMR''''') là một [[hiệu ứng từ điện trở]] xảy ra trong các [[màng mỏng|màng mỏng đa lớp]] có các lớp [[sắt từ]] được ngăn cách bởi các lớp [[điện môi]].
==Mô tả hiệu ứng==
Từ điện trở chui hầm hiểu đơn giản là sự thay đổi lớn của [[điện trở suất]] xảy ra ở các [[tiếp xúc từ chui hầm]], là các [[màng mỏng]] với các [[sắt từ]] được ngăn cách bởi lớp [[điện môi]], đóng vai trò lớp rào ngăn cách chuyển động của [[điện tử]]. Khi chiều dày lớp điện môi đủ mỏng, [[hiệu ứng chui hầm lượng tử]] sẽ xảy ra, cho phép điện tử xuyên qua rào thế của lớp điện môi, tạo thành sự dẫn điện, và do sự tán xạ trên các lớp sắt từ, điện trở của màng sẽ bị thay đổi tùy theo sự định hướng của [[mômen từ]] của các lớp [[sắt từ]].
Hiệu ứng từ điện trở chui hầm thực chất được phát hiện từ năm [[1975]] bởi nhóm nghiên cứu của [[Michel Julliere]] khi phát hiện ra hiệu ứng này xảy ra trong hệ [[màng mỏng|màng đa lớp]] [[Fe]]/[[Ge]]/[[Co]], xảy ra ở nhiệt độ thấp tới 4,2 [[Kelvin]] với lớp [[germanium]] ([[Ge]]) đóng vai trò là một lớp [[điện môi]]<ref>[http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVM-46R3N46-10D/2/90703cfc684b0679356dce9a76b2e942 M. Julliere, ''Tunnelling between ferromagnetic films'', Phys. Lett. A 54 (1975) 225-226]<ref>.
==Ứng dụng của từ điện trở chui hầm==
==Xem thêm==
| |||