Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Từ điện trở chui hầm”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Không có tóm lược sửa đổi |
|||
Dòng 11:
<math>TMR = \frac{P_1 . P_2}{1 - P_1.P_2}</math>
==Ứng dụng của từ điện trở chui hầm==
Cùng với các thành tựu về [[Từ điện trở khổng lồ|hiệu ứng GMR]], hiệu ứng TMR là trụ cột phát triển của [[spintronics|công nghệ spintronic]]. Các tiếp xúc từ chui hầm đang được sử dụng trong các [[Spintronics|linh kiện thế hệ spintronic thứ nhất]], điển hình là các bộ nhớ [[RAM]] từ điện trở (MRAM) không tự xóa, các [[transistor]] sử dụng tiếp xúc spin chui hầm và trong các cảm biến chất lượng cao...
==Xem thêm==
*[[Hiệu ứng từ điện trở]]
| |||