Khác biệt giữa bản sửa đổi của “William Shockley”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Addbot (thảo luận | đóng góp)
n Bot: Di chuyển 52 liên kết ngôn ngữ đến Wikidata tại d:q163415 Addbot
TuHan-Bot (thảo luận | đóng góp)
n Robot: Sửa đổi hướng
Dòng 5:
| image_width = 150px
| birth_date = [[13 tháng 2]] năm [[1910]]
| birth_place = [[Luân Đôn|London]], [[Anh]]
| death_date = {{Death date and age|1989|8|12|1910|2|13|df=yes}}
| death_place = [[Stanford, California]]
| alma_mater=[[Caltech]]</br>[[Học viện Công nghệ Massachusetts|MIT]]
| known_for = Đồng phát minh ra [[tranzito|transistor]]
| prizes = [[Tập tin:Nobel prize medal.svg|20px]] [[Giải Nobel Vật lý]] (1956) <br> [[Giải Vật lý Comstock]] (1953)
| work_institution = [[Bell Telephone Laboratories|Bell Labs]]</br>[[Shockley Semiconductor]]</br>[[Stanford University|Stanford]]
Dòng 17:
'''William Bradford Shockley''' ([[13 tháng 2]], năm [[1910]] &ndash; [[12 tháng 8]], năm [[1989]]) là một [[nhà vật lý]] và [[nhà phát minh]] người Mỹ sinh tại Anh.
 
Cùng với [[John Bardeen]] và [[Walter Houser Brattain]], Shockley là người đồng phát minh ra [[tranzito|transistor]]. Nhờ phát minh này họ nhận được [[giải Nobel Vật lý]] vào năm [[1956]]. Những nỗ lực của Shockley trong việc thương mại hóa một loại [[tranzito|transistor]] mới từ năm 1950 đến những năm 1960 đã dẫn đến "[[Silicon Valley]]" trở thành một nơi cách tân các thiết bị điện tử, những thiết bị này đóng vai trò lớn trong việc phát triển nhanh chóng của khoa học kỹ thuật trong nửa cuối thế kỷ này. Shockley là giáo sư tai trường [[Đại học Stanford]], ông là người ủng hộ [[thuyết ưu sinh]].<ref name=obit/>
==Thời trẻ==
Shockley sinh tại [[Luân Đôn|London]], cha mẹ ông là người Mỹ, ông lớn lên ở [[California]]. Ông nhận bằng kỹ sư từ [[Đại học Kỹ thuật California]] năm 1932. Khi còn là một sinh viên, vào tháng 8 năm 1933, Shockley đã cưới vợ là Iowan Jean Bailey. Tháng 3 năm 1934 ông và Jean đã có con gái, Alison. Shockley nhân bằng [[Tiến sĩ]] từ [[Học viện Công nghệ Massachusetts]] (MIT) vào năm 1936. Đề tài luận án tiến sĩ của ông là ''Các tính toán về Hàm số sóng điện từ trong tinh thể Natri clorua''. Sau khi nhận bằng tiến sĩ, ông gia nhập nhóm nghiên cứu được lãnh đạo bởi tiến sĩ C.J. Davisson tại [[Bell Labs]] ở [[New Jersey]].
 
Khi [[Chiến tranh thế giới thứ hai|Đệ nhị Thế chiến]] nổ ra, Shockley bị cuốn vào việc nghiên cứu về [[ra đa|radar]] tại một phòng thí nghiệm ở Whippany, [[New Jersey]]. Tháng 5 năm 1942 ông dời Bell Labs và trở thành giám đốc nghiên cứu của nhóm Nghiên cứu hoạt động chống tầu ngầm của [[Đại học Columbia]]. Các nghiên cứu này bao gồm cả việc phát minh ra những phương pháp chống lại các chiến thuật của tầu ngầm do việc phát triển kỹ thuật hộ vệ, quan sát, theo dõi những loại bom phá tầu...Dự án này đòi hỏi phải thường xuyên đi lại giữa Pentagon và Washington, nơi Shockley gặp các sĩ quan cấp cao và các quan chức chính phủ. Năm 1944, ông đã tổ chức một chương trình nddaof tạo cho các phi công lái máy bay ném bom [[Boeing B-29 Superfortress|B-29]] để sử dụng loại radar mới phát hiện bom. Nhờ dự án này, Bộ trưởng Chiến tranh Robert Patterson đã trao tặng Shockley [[Huân chương Merit]] vào năm 1946.
==Transistor bán dẫn ==