Khác biệt giữa bản sửa đổi của “LED”

Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n Đã lùi lại sửa đổi của Heolinhdam (Thảo luận) quay về phiên bản cuối của Cheers!-bot
n AlphamaEditor, Excuted time: 00:00:20.2500248
Dòng 7:
| working_principle = [[Điện phát quang]]
| invented = [[Oleg Losev]] (1927)<ref name="100-YEAR HISTORY">{{chú thích báo | url=http://holly.orc.soton.ac.uk/fileadmin/downloads/100_years_of_optoelectronics__2_.pdf| title=The life and times of the LED — a 100-year history | date=April 2007| agency=The Optoelectronics Research Centre, University of Southampton| accessdate=ngày 4 tháng 9 năm 2012}}</ref><ref>{{cite journal |last=Nosov |first=Yu. R. |title=О. В. Лосев – изобретатель кристадина и светодиода |trans_title=O. V. Losev - the Inventor of Crystodyne and Light-emitting Diode |language=Russian |journal=Электросвязь |page=63 |year=2005 |issue=5 |url=http://www.computer-museum.ru/connect/losev.htm}}</ref><ref>{{cite journal |last=Novikov |first=M. A. |title=Олег Владимирович Лосев — пионер полупроводниковой электроники |trans_title=Oleg Vladimirovich Losev — a Pioneer of Semiconductor Electronics |language=Russian |journal=Физика твердого тела |year=2004 |volume=46 |issue=1 |url=http://www.ioffe.ru/journals/ftt/2004/01/p5-9.pdf |format=PDF |quote=Кроме того, О.В. Лосеву удалось очень далеко продвинуться в понимании физики этих явлений в условиях, когда еще не была создана зонная теория полупроводников. Так что современные защитники приоритета Роунда вряд ли имеют право оспоривать выдающийся вклад нашего соотечественника в эту область физики и особенно в изобретение светодиода. Ведь изобретателями радио считаются по праву Попов и Маркони, хотя всем известно, что радиоволны первым наблюдал Герц. И таких примеров в истории науки много.}}</ref><br> [[James R. Biard]] (1961)<ref name="First LEDs Were Infrared">{{chú thích báo | url=http://invention.smithsonian.org/centerpieces/Quartz/inventors/biard.html | title=The first LEDs were infrared (invisible)| agency=Smithsonian National Museum of American History | date=October 2007 | accessdate=ngày 24 tháng 7 năm 2013}}</ref><br> [[Nick Holonyak]] (1962)<ref name="LEMELSON-MIT">{{chú thích báo | url=http://web.mit.edu/invent/n-pressreleases/n-press-04LMP.html | title=Inventor of Long-Lasting, Low-Heat Light Source Awarded $500,000 Lemelson-MIT Prize for Invention| date=ngày 21 tháng 4 năm 2004 | agency=Massachusetts Institute of Technology | accessdate=ngày 21 tháng 12 năm 2011 | location=Washington, D.C.}}</ref>
| first_produced = 1968<ref name="Schubert">{{Citechú bookthích sách|author=Schubert, E. Fred |title=Light-Emitting Diodes|publisher=Cambridge University Press|year=2003|chapter=1|isbn=0-8194-3956-8}}</ref>
| pins = [[Anode]] và [[Cathode]]
| symbol = [[Tập tin:LED symbol.svg]]
Dòng 127:
|-
| style="background:#200020;"|
|[[Tử ngoại|Tia cực tím]] ||''λ'' < 400 ||3.1 < Δ''V'' < 4.4 || [[Kim cương]] (235&nbsp;nm)<ref name=dia>{{chú thích tạp chí|doi=10.1126/science.1060258|title=Ultraviolet Emission from a Diamond pn Junction|year=2001|last1=Koizumi|first1=S.|journal=Science|volume=292|page=1899|pmid=11397942|first2=K|first3=M|first4=H|issue=5523|last2=Watanabe|last3=Hasegawa|last4=Kanda|bibcode = 2001Sci...292.1899K|pages=1899–1901 }}</ref><br />[[Boron nitride]] (215&nbsp;nm)<ref name=BN>{{chú thích tạp chí|doi=10.1126/science.1144216|title=Deep Ultraviolet Light-Emitting Hexagonal Boron Nitride Synthesized at Atmospheric Pressure|year=2007|last1=Kubota|first1=Y.|first2=K.|first3=O.|first4=T.|journal=Science|volume=317|page=932|pmid=17702939|issue=5840|last2=Watanabe|last3=Tsuda|last4=Taniguchi|bibcode = 2007Sci...317..932K|pages=932–934 }}</ref><ref name=bn2>{{chú thích tạp chí|doi=10.1038/nmat1134|title=Direct-bandgap properties and evidence for ultraviolet lasing of hexagonal boron nitride single crystal|year=2004|last1=Watanabe|first1=Kenji|first2=Takashi|first3=Hisao|journal=Nature Materials|volume=3|page=404|pmid=15156198|issue=6|last2=Taniguchi|last3=Kanda|bibcode = 2004NatMa...3..404W|pages=404–409 }}</ref><br /> [[Aluminium nitride]] (AlN) (210&nbsp;nm)<ref name=aln>{{chú thích tạp chí|doi=10.1038/nature04760|title=An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres|year=2006|last1=Taniyasu|first1=Yoshitaka|first2=Makoto|first3=Toshiki|journal=Nature|volume=441|page=325|pmid=16710416|issue=7091|last2=Kasu|last3=Makimoto|bibcode = 2006Natur.441..325T|pages=325–328 }}</ref><br /> [[Aluminium gallium nitride]] (AlGaN)<br /> [[Aluminium gallium indium nitride]] (AlGaInN) — down to 210&nbsp;nm<ref>{{chú thích báo|url=http://physicsworld.com/cws/article/news/24926 |title=LEDs move into the ultraviolet |date=ngày 17 tháng 5 năm 2006 |publisher=physicsworld.com |accessdate =2007-08- ngày 13 tháng 8 năm 2007}}</ref>
|-
| style="background:#ff80C0;"|
Dòng 146:
|work = Takeda Award 2002 Achievement Facts Sheet
|publisher = The Takeda Foundation
|date = ngày 5 tháng 4 năm 2002 |url = http://www.takeda-foundation.jp/en/award/takeda/2002/fact/pdf/fact01.pdf
|date = 2002-04-05
|url = http://www.takeda-foundation.jp/en/award/takeda/2002/fact/pdf/fact01.pdf
|format = PDF
|accessdate = 2007-11-ngày 28 tháng 11 năm 2007}}</ref> đã dẫn tới một kỷ nguyên mới cho các thiết bị quang điện dựa trên GaN. Trên nền tảng này, vào năm 1993 LED xanh nước biển có độ sáng cao đã được hiện thực.<ref>{{US patent|5578839}} "Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device" Nakamura et al., Issue date: ngày 26 tháng 11 năm 1996</ref>
do [[Shuji Nakamura]] của công ty [[Nichia Corporation]] dùng gallium nitride.