Wikipedia

Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM”

Duyệt lịch sử tương tác
← Thay đổi trướcThay đổi sau →
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Trực quanMã wiki
n →‎Lịch sử: replaced: . → ., tháng 10, 19 → tháng 10 năm 19 using AWB
Dòng 13:
Vào các năm tiếp theo, với sự xuất hiện của các thế hệ máy tính mới hơn, đi kèm với các hệ điều hành có giao diện thân thiện hơn với người dùng, một trong số đó là [[Windows XP]] ra đời [[Windows Server 2003|2003]]. Với sự xuất hiện của các giao diện “màu mè” và “mượt mà” hơn so với thế hệ trước do đó RAM cũng đòi hỏi nhanh hơn và có bộ nhớ lớn hơn. DDR dường như đã quá sức sau khoảng vài năm phục vụ, vì thế người ta nghĩ đến việc thay thế nó bằng thế hệ tiếp theo DDR2 có tốc độ nhanh hơn và bộ nhớ lớn hơn khá nhiều, đồng thời cũng tiết kiệm năng lượng hơn so với DDR. Hiện tại còn có thể tìm thấy DDR2 với bộ nhớ đến 4GB. RAM DDR2 được sử khá nhiều chúng xuất hiện trên các dòng Laptop sản xuất từ cuối năm [[2003]] đến cuối năm [[2009]].
 
Vào năm [[2007]] cùng với sự ra đời của thế hệ HDHHĐH mới như [[Windows Vista]], Mac OS X Leopard người ta bắt đầu sản xuất thế hệ RAM tiếp theo của DDR2 là DDR3 với tốc độ rất nhanh và bộ nhớ lớn đồng thời tiết kiệm năng lượng hơn 30% so với thế hệ DDR2. Đây cũng là loại RAM được sử dụng rộng rãi, phổ biến trên Laptop hiện nay với bộ nhớ lớn lên đến 16GB/thanh. Tuy xuất hiện sớm nhưng mãi đến cuối năm 2009 thì DDR3 mới bắt đầu xuất hiện rộng rãi trên Laptop. Bên cạnh sự xuất hiện của DDR3 người ta còn thấy DDR3L. Đây là kết quả hợp tác của [[Kingston]] và [[Intel]] trong việc phát triển dòng bộ nhớ tiết kiệm điện năng. Chữ L ở đây có nghĩa là Low ám chỉ đây là loại RAM DDR3 nhưng sử dụng ít năng lượng hơn. Loại RAM này thường được sản xuất cho các thiết bị cụ thể vì chúng sử dụng điện thế 1,35V thay vì 1.5V như các loại RAM thông thường. Đây là loại RAM đặc biệt được thiết kế cho các hệ thống máy chủ, các trung tâm dữ liệu và trên một số dòng LAPTOP cao cấp nhằm tăng thời gian sử dụng PIN.
 
Khi RAM DDR3 vừa tròn 8 năm tuổi đời thì DDR4 cũng rục rịch ra mắt. Những thay đổi đáng chú ý nhất của DDR4 so với người tiền nhiệm DDR3 gồm: gia tăng số tuỳ chọn xung nhịp (clock) và chu kỳ (timing), giảm điện năng tiêu thụ (power saving) và giảm độ trễ (latency). Hiện tại, DDR3 đang được giới hạn chủ yếu ở 4 mức xung nhịp 1333, 1600, 1866 MHz. Mức 2133 MHz đang là mức giới hạn xung nhịp về lý thuyết cho DDR3, trong khi các mức 800 MHz và 1066 MHz giờ đã không còn được tiếp tục sản xuất.
Dòng 37:
 
[[Tập tin:6t-SRAM-cell.png|nhỏ|phải|267px| 6 transistor trong một ô nhớ của RAM tĩnh]]
RAM tĩnh được chế tạo theo công nghệ ECL (dùng trong CMOS và BiCMOS). Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic với 6 transistor MOS. SRAM là bộ nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung của ô nhớ và thời gian thâm nhập bằng chu kỳ của bộ nhớ. nhưng sram là một nơi lưu trữ các tập tin của CMOS dùng cho việc khởi động máy
 
=== RAM động ===
Dòng 101:
 
Không phải các RAM khác nhau đều sử dụng được trên tất cả các [[bo mạch chủ]]. Mỗi loại bo mạch chủ lại sử dụng với một loại RAM khác nhau tuỳ thuộc vào [[chipset]] của bo mạch chủ.Đó là các bo mạch chủ sử dụng CPU Intel bởi vì trong chipset đó có tích hợp điều khiển bộ nhớ(memory controller). Còn đối hệ thống sử dụng CPU [[AMD]] thì việc quản lý bộ nhớ Ram phụ thuộc vào chính CPU. Bởi trong CPU AMD tích hợp điều khiển bộ nhớ (trình điều khiển bộ nhớ) trong chính CPU.
Đặc biệt sau này trình điều khiển bộ nhớ đã được tích hợp trong hệ thống coreCore i của Intel. {{fact|date=7-2014}}
 
== Xem thêm ==
Lấy từ “https://vi.wikipedia.org/wiki/RAM”