Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Transistor hiệu ứng trường”

Khái niệm về FET có trước [[transistor lưỡng cực]] ([[BJT]]), nhưng nó không được thựcđưa hiệnvào ứng dụng, cho đến khi BJT[[transistor lưỡng cực]] gặp những hạn chế của vật liệu bán dẫn và do cả sản xuất [[BJT]] tương đối dễ so với FET vào thời điểm đó. Ngày nay FET có 6 loại chính tùy theo cấu trúc và kênh dẫn là p hay n, là 2 loại [[JFET]] và 4 loại [[MOSFET]] <ref name= computerhistory >[http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-MOS.html 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated]. [[:en:Computer History Museum|''Computer History Museum'']], 2014. Truy cập 01 Apr 2014.</ref><ref name= Kahng>D. Kahng: A historical perspective on the development of MOS transistors and related devices. In: Electron Devices, IEEE Transactions on. Band 23, Nr. 7, 1976, p. 655–657.</ref>.

Transistor hiệu ứng trường được [[Julius Edgar Lilienfeld]] đăng ký phát minh sáng chế đầu tiên năm 1926,. vàCùng thời đó có các nghiên cứu của [[OskarJoseph HeilWeber]] nghiênnăm cứu1930, [[Oskar Heil]] năm 1934. Tuy nhiên [[linh kiện bán dẫn]] thực tế là [[JFET]] chỉ được phát triển sau khi hiệu ứng [[transistor]] được quan sát và giải thích bởi nhóm của [[William Shockley]] tại [[Phòng thí nghiệm Bell|Bell Labs]] quan sát và giải thích hiệu ứng [[transistor]] vào năm 1947, sau bằng sáng chế nói trên 20 năm khi bằng hết hiệu lực <ref name= Kahng/>.

Loại [[JFET]] (junction field-effect transistor) đầu tiên là transistor cảm ứng tĩnh (SIT, static induction transistor), được các kỹ sư [[người Nhật]] [[Jun-ichi Nishizawa]] và Y. Watanabe phát minh năm 1950. Đó là một [[JFET]] với độ dài kênh ngắn <ref name="sit">[https://link.springer.com/chapter/10.1007%2F978-1-4684-7263-9_11#page-1 Junction Field-Effect Devices], ''Semiconductor Devices for Power Conditioning'', 1982</ref>. Các [[MOSFET]] được [[Dawon Kahng]] và Martin Atalla phát minh năm 1959.

CácTuy nhiên cho đến những năm 1960 ứng dụng transistor trường cón rất hạn chế, chủ yếu là dùng [[MOSFETJFET]] đượctrong các khuếch đại có trở kháng [[Dawonngõ Kahngvào]] vàcao. MartinSự Atallabùng phátnổ minhdiễn nămra 1959,ở ngàythập nayniên đã thay thế hầuđó, hếtkhi các [[JFETMOSFET]], làđược dùng làm các [[transistorcông tắc]] cơ bảnlogic trong [[viđiện mạch]]tử số]] và có ảnh hưởng sâu sắc đến sự phát triển của ngành này. Ngày nay [[điệnMOSFET]] tửlà số[[transistor]] cơ bản trong [[vi mạch]] số <ref name= computerhistory />.