Wikipedia

Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Transistor hiệu ứng trường”

Duyệt lịch sử tương tác
← Thay đổi trướcThay đổi sau →
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
Trực quanMã wiki
nKhông có tóm lược sửa đổi
nKhông có tóm lược sửa đổi
Dòng 21:
Loại [[JFET]] (junction field-effect transistor) đầu tiên là transistor cảm ứng tĩnh (SIT, static induction transistor), được các kỹ sư [[người Nhật]] [[Jun-ichi Nishizawa]] và Y. Watanabe phát minh năm 1950. Đó là một [[JFET]] với độ dài kênh ngắn <ref name="sit">[https://link.springer.com/chapter/10.1007%2F978-1-4684-7263-9_11#page-1 Junction Field-Effect Devices], ''Semiconductor Devices for Power Conditioning'', 1982</ref>. Các [[MOSFET]] được [[Dawon Kahng]] và Martin Atalla phát minh năm 1959.
 
Tuy nhiên cho đến những năm 1960 ứng dụng transistor trường cóncòn rất hạn chế, chủ yếu là dùng [[JFET]] trong các khuếch đại analog có trở kháng [[ngõ vào]] cao và tiếng ồn thấp. Sự bùng nổ diễn ra ở thập niên đó, khi các [[MOSFET]] được dùng làm các [[công tắc]] logic trong [[điện tử số]] và có ảnh hưởng sâu sắc đến sự phát triển của ngành này. Ngày nay [[MOSFET]] là [[transistor]] cơ bản trong [[vi mạch]] số <ref name= computerhistory />.
 
[[Tập tin:jfet-070325 (vertikal).svg|thumb|280px|Thay đổi bề rộng lớp cấm theo điện áp ''U''<sub>GS</sub> trong JFET kênh ''n''.]]
Lấy từ “https://vi.wikipedia.org/wiki/Transistor_hiệu_ứng_trường”