Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Bộ nhớ điện tĩnh”

Bộ nhớ điện tĩnh được dùng chủ yếu cho việc lưu trữ thứ cấp/ - lưu trữ dự phòng ([[secondary storage]]), hoặc lưu trữ thường trực lâu dài. Cấu trúc được dùng rộng rãi nhất của bộ nhớ sơ cấp - bộ nhớ cơ sở ([[Computer data storage#Primary storage|primary storage]]) ngày nay là cấu trúc bộ nhớ [[Random access memory|RAM]] điện động ([[Volatile memory|volatile]]), có nghĩa là khi máy tính bị tắt nguồn thì mọi thứ chứa trong RAM bị mất; do đó, bộ nhớ [[Random access memory|RAM]] điện động chủ yếu được dùng làm bộ nhớ đệm, bộ nhớ tạm của thiết bị máy tính. Tuy nhiên, hầu hết các cấu trúc bộ nhớ điện tĩnh (non-volatile memory) đều có các giới hạn khiến chúng không có khả năng phù hợp cho dùng làm bộ nhớ sơ cấp (primary storage). Cơ bản là do bộ nhớ điện tĩnh (non-volatile memory) tốn kém nhiều, cung cấp công năng thấp hơn, hoặc có độ bền ghi yếu hơn so với bộ nhớ RAM điện động (volatile random access memory).

Bộ nhớ dữ liệu điện tĩnh (Non-volatile data storage) có thể được phân loại trong các hệ thống đánh địa chỉ bằng điện (bộ nhớ chỉ đọc [[Read-only memory|ROM]]) và các hệ thống đánh địa chỉ bằng cơ (như là [[Hard disk|ổ cứng]], [[Optical disc|đĩa quang]], [[Magnetic tape|băng từ]], [[Holographic memory|bộ nhớ đồ hoạ holographic]] chẳng hạn). Các hệ thống đánh địa chỉ bằng điện thì tốn kém, nhưng mà nhanh, trong khi đó các hệ thống đánh địa chỉ bằng cơ thì có giá thành hạ tính theo mỗi bit, nhưng mà chậm. Một ngày nào đó, Bộ nhớ điện tĩnh có thể loại bỏ được sự cần thiết với các cấu trúc hệ thống lưu trữ thứ cấp chạy chậm, như là các ổ cứng chẳng hạn.