Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Spin”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n robot Thêm: ga:Guairne |
|||
Dòng 36:
Có một ngành khoa học mới ra đời mang tên '''[[Spintronics]]''' ([[Điện tử học spin]]).Tên gọi này bắt nguồn từ việc sử dụng [[spin]] hay moment từ của [[electron]] thay vì sử dụng điện tích của nó trong các ngành như microelectronics .Tính chất từ của electron hay spin của nó được giải thích bởi [[Dirac]] khi [[nhà vât lý]] thiên tài này trong nỗ lực kết hợp [[cơ học lượng tử]] và [[thuyết tương đối]]. Các dụng cụ sử dụng tính chất spin của điện tử có thể được dùng trong các [[máy tính lượng tử]] và [[thông tin lượng tử]] trong tương lai.
Thực tế là sự định hướng của spin điện tử được sử dụng trong các [[cảm biến từ]], đặc biệt là trong các [[đầu đọc]] và [[ổ cứng từ]]. Trong tất cả các môi trường ghi từ thì bề mặt ghi có chứa các lớp từ, các lớp từ này được chia thành các vùng từ nhỏ (magnetic domains). Moment từ của các vùng từ này được biểu diễn bởi hai trạng thái thông tin ‘0’ và ‘1’. Trong trường hợp của ổ đĩa cứng, các trạng thái này
Ưu điểm thứ hai của các dụng cụ sử dụng tính chất của spin là khả năng tích trữ. Trong những năm gần đây, nhờ sự phát hiện của hiệu ứng [[từ điện trở khổng lồ]] (GMR), mà khả năng tích trữ của các vật liệu từ tăng lên một cách nhanh chóng. Hiệu ứng [[từ điện trở khổng lồ]] được khám phá bởi [[Albert Fert]] (thuộc trường đại học Paris 11 và Peter Grunberg, nó bắt nguồn từ spin-up và spin-down của điện tử gặp các trở kháng khác nhau khi chúng đi qua các lớp từ. Các điện tử với spin định hướng cùng chiều (sắt từ) sẽ gặp một sự trở kháng bé hơn so với các điện tử có spin định hướng ngược chiều nhau. Sau sự ra đời của [[GMR]], thì [[TMR]] (tunnelling magnetoresistance) cũng ra đời, nó sinh ra một sự thay đổi điện trở lớn hơn nhiều so với GMR trong một trường bé.
| |||