Khác biệt giữa bản sửa đổi của “Phún xạ cathode”
Nội dung được xóa Nội dung được thêm vào
n Qbot: Việt hóa |
n chú thích, replaced: {{cite book → {{chú thích sách |
||
Dòng 1:
'''Phún xạ''' ([[tiếng Anh]]: '''''Sputtering''''') hay '''Phún xạ [[catốt]]''' ('''''Cathode Sputtering''''') là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý truyền [[động năng]] bằng cách dùng các [[iôn]] [[khí hiếm]] được tăng tốc dưới [[điện trường]] bắn phá bề mặt [[vật liệu]] từ bia vật liệu, truyền động năng cho các [[nguyên tử]] này bay về phía đế và lắng đọng trên đế. [[Tập tin:
==Bản chất quá trình phún xạ==
Khác với [[phương pháp bay bốc nhiệt]], phún xạ không làm cho vật liệu bị bay hơi do đốt nóng mà thực chất quá trình phún xạ là quá trình truyền [[động năng]]. Vật liệu nguồn được tạo thành dạng các tấm bia (target) và được đặt tại [[điện cực]] (thường là [[catốt]]), trong buồng được hút [[chân không]] cao và nạp [[khí hiếm]] với [[áp suất]] thấp (cỡ 10<sup>
==Kỹ thuật phún xạ phóng điện phát sáng==
Dòng 9:
:Là kỹ thuật sử dụng hiệu điện thế xoay chiều để gia tốc cho iôn khí hiếm. Nó vẫn có cấu tạo chung của các hệ phún xạ, tuy nhiên máy phát là một máy phát cao tần sử dụng [[dòng điện]] [[tần số]] [[sóng vô tuyến]] (thường là 13,56 MHz). Vì dòng điện là xoay chiều, nên nó có thể sử dụng cho các bia vật liệu không dẫn điện. Máy phát cao tần sẽ tạo ra các [[hiệu điện thế]] xoay chiều dạng xung vuông. Vì hệ sử dụng [[dòng điện xoay chiều]] nên phải đi qua một bộ [[phối hợp trở kháng]] và hệ [[tụ điện]] có tác dụng tăng [[công suất]] phóng điện và bảo vệ máy phát. Quá trình phún xạ có hơi khác so với phún xạ một chiều ở chỗ bia vừa bị bắn phá bởi các iôn có năng lượng cao ở nửa chu kỳ âm của hiệu điện thế và bị bắn phá bởi các [[điện tử]] ở nửa chu kỳ dương.
* '''Phún xạ magnetron'''
[[Tập tin:
:Là kỹ thuật phún xạ (sử dụng cả với xoay chiều và một chiều) cải tiến từ các hệ phún xạ thông dụng bằng cách đặt bên dưới bia các [[nam châm]]. Từ trường của nam châm có tác dụng bẫy các điện tử và iôn lại gần bia và tăng hiệu ứng iôn hóa, tăng số lần va chạm giữa các iôn, điện tử với các nguyên tử khí tại bề mặt bia do đó làm tăng tốc độ lắng đọng, giảm sự bắn phá của điện tử và iôn trên bề mặt màng, giảm nhiệt độ đế và có thể tạo ra sự phóng điện ở áp suất thấp hơn.
Dòng 17:
*Dễ dàng chế tạo các màng đa lớp nhờ tạo ra nhiều bia riêng biệt. Đồng thời, đây là phương pháp rẻ tiền, và dễ thực hiện nên dễ dàng triển khai ở quy mô công nghiệp.
*Độ bám dính của màng trên đế rất cao do các nguyên tử đến lắng đọng trên màng có động năng khá cao so với [[phương pháp bay bốc nhiệt]].
*Màng tạo ra có độ mấp mô bề mặt thấp và có hợp thức gần với của bia, có độ dày chính xác hơn nhiều so với [[phương pháp bay bốc nhiệt]] trong chân không.
*Do các chất có hiệu suất phún xạ khác nhau nên việc khống chế thành phần với bia tổ hợp trở nên phức tạp. Khả năng tạo ra các màng rất mỏng với độ chính xác cao của phương pháp phún xạ là không cao. Hơn nữa, không thể tạo ra màng [[đơn tinh thể]].
Dòng 23:
*[[Phương pháp bay bốc nhiệt]]
*[[Epitaxy chùm phân tử]]
==Tài liệu tham khảo==▼
#{{note|vA1}} {{
[[Thể loại:Khoa học vật liệu]]
[[Thể loại:Vật lý chất rắn]]
[[Thể loại:Kỹ thuật màng mỏng]]
▲==Tài liệu tham khảo==
▲#{{note|vA1}} {{cite book | author=Nguyễn Hữu Đức | title=Vật liệu từ liên kim loại | publisher=Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội | year=2003 | editor= | id=1K-02044-01403}}
| |||