Gali nitride

Gali nitride
Danh pháp IUPAC	Gallium nitride
Nhận dạng
Số CAS	25617-97-4
PubChem	117559
Số RTECS	LW9640000
Ảnh Jmol-3D	ảnh
SMILES	đầy đủ [Ga]#N ;
InChI	đầy đủ 1/Ga.N/rGaN/c1-2;
Thuộc tính
Công thức phân tử	GaN
Khối lượng mol	83.730 g/mol
Bề ngoài	Bột màu vàng
Khối lượng riêng	6.1 g/cm³
Điểm nóng chảy	>2500 °C
Điểm sôi
Độ hòa tan trong nước	Không tan
BandGap	3.4 eV (300 K, direct)
ElectronMobility	1500 cm²/(V·s) (300 K)
Độ dẫn nhiệt	1.3 W/(cm·K) (300 K)
Chiết suất (nD)	2.429
	Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). kiểm chứng (cái gì ?) Tham khảo hộp thông tin

Gali nitride là một hợp chất hóa học vô cơ, đồng thời cũng là một chất bán dẫn năng lượng. Hợp chất này có thành phần chính gồm hai nguyên tố gali và nitơ, với công thức hóa học được quy định là GaN. GaN là một hợp chất có nhiều ứng dụng, mà thường sử dụng trong các điốt phát sáng kể từ những năm 1990. Hợp chất này là một vật liệu rất cứng có cấu trúc tinh thể Wurtzite. Mức năng lượng chên lệch khoảng 3,4 eV mang lại đặc tính đặc biệt cho các ứng dụng trong các thiết bị điện cao tần và tần số cao, quang điện tử.^[6]^[7] Ví dụ, GaN là chất nền làm cho điốt laser màu tím (405 nm) có thể, mà không cần sử dụng tăng tần số phi tuyến lên gấp đôi.

An toàn sửa

Bụi của hợp chất Gali nitride gây kích ứng da, mắt và phổi. Các khía cạnh về môi trường, sức khoẻ và an toàn của các nguồn gali nitride (như trimetylgali và amonia) và nghiên cứu giám sát vệ sinh công nghiệp của các nguồn MOVPE đã được báo cáo gần đây trong một bài đánh giá.^[8]

Sử dụng số lượng lớn GaN không gây độc và tương thích sinh học,^[9] và do đó có thể được sử dụng trong điện cực và điện tử của cấy ghép trong sinh vật sống.

Tham khảo sửa

^ ^a ^b ^c Haynes, William M. biên tập (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản 92). Boca Raton, FL: CRC Press. tr. 4.64. ISBN 1439855110.
^ Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). “Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal”. Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP....96.2501H. doi:10.1063/1.1772878.
^ “abstract NCSU study: Aqueous Stability of Ga- and N-Polar Gallium Nitride”.
^ Lidow, Alex; Michael de Rooij; David Reusch (2015). GaN Transistors for efficient power conversion (ấn bản 2). California, USA: Wiley. tr. 3. ISBN 978-1-118-84479-3. Đã định rõ hơn một tham số trong |author1= và |last1= (trợ giúp); Kiểm tra giá trị ngày tháng trong: |access-date= (trợ giúp); |ngày truy cập= cần |url= (trợ giúp)
^ Mion, Christian (2005). "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique", Thesis, North Carolina State University.
^ Di Carlo, A. (2001). “Tuning Optical Properties of GaN-Based Nanostructures by Charge Screening”. Physica status solidi (a). 183: 81–85. Bibcode:2001PSSAR.183...81D. doi:10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N.
^ Arakawa, Y. (2002). “Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications”. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 8 (4): 823–832. doi:10.1109/JSTQE.2002.801675.
^ Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; Dicarlo, R. L. Jr; Dripps, G. (2004). “Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors”. Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–21. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
^ Shipman, Matt and Ivanisevic, Albena (ngày 24 tháng 10 năm 2011). "Research Finds Gallium Nitride is Non-Toxic, Biocompatible – Holds Promise For Biomedical Implants". North Carolina State University

[b92-1] Haynes, William M. biên tập (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản 92). Boca Raton, FL: CRC Press. tr. 4.64. ISBN 1439855110.

[melting-2] Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). “Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal”. Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP....96.2501H. doi:10.1063/1.1772878.

[3] “abstract NCSU study: Aqueous Stability of Ga- and N-Polar Gallium Nitride”.

[4] Lidow, Alex; Michael de Rooij; David Reusch (2015). GaN Transistors for efficient power conversion (ấn bản 2). California, USA: Wiley. tr. 3. ISBN 978-1-118-84479-3. Đã định rõ hơn một tham số trong |author1= và |last1= (trợ giúp); Kiểm tra giá trị ngày tháng trong: |access-date= (trợ giúp); |ngày truy cập= cần |url= (trợ giúp)

[5] Mion, Christian (2005). "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique", Thesis, North Carolina State University.

[6] Di Carlo, A. (2001). “Tuning Optical Properties of GaN-Based Nanostructures by Charge Screening”. Physica status solidi (a). 183: 81–85. Bibcode:2001PSSAR.183...81D. doi:10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N.

[7] Arakawa, Y. (2002). “Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications”. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 8 (4): 823–832. doi:10.1109/JSTQE.2002.801675.

[8] Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; Dicarlo, R. L. Jr; Dripps, G. (2004). “Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors”. Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–21. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.

[9] Shipman, Matt and Ivanisevic, Albena (ngày 24 tháng 10 năm 2011). "Research Finds Gallium Nitride is Non-Toxic, Biocompatible – Holds Promise For Biomedical Implants". North Carolina State University

[6]

[7]

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[8]

[9]