Khác biệt giữa bản sửa đổi của “RAM động”

'''Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động''' ('''DRAM''' hay '''RAM động''') là một loại [[rAM|bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên]] lưu mỗi [[bit]] dữ liệu trong một [[tụ điện]] riêng biệt trên một [[vi mạch|mạch tích hợp]]. Vì các tụ điện bị rò [[điện tích]] nên thông tin sẽ bị mất dần trừ khi dữ liệu được nạp lại đều đặn. Đây là điểm khác biệt so với [[RAM tĩnh]]. Ưu điểm của DRAM là có cấu trúc đơn giản: chỉ cần một [[tranzito|transistor]] và một tụ điện cho mỗi bit trong khi cần sáu transistor đối với SRAM. Điều này cho phép DRAM lưu trữ với mật độ cao.

DRAM thường được sắp xếp trong một mảng [[hình chữ nhật]] của một phần dự trữ bao gồm một tụ điện và transistor cho mỗi bit dữ liệu. Hình bên phải là một ví dụ đơn giản với ma trận 4x4. Một số ma trận DRAM có tới hàng nghìn phần.

# Trong khi đọc các cột trong một hàng mở đang thực hiện, dòng điện đang chảy ngược lên dòng bit từ kết quả của bộ khuếch đại và tế bào lưu trữ đang tích điện. Điều này làm mới điện trong tế bào lưu trữ bằng cách tăng điện áp trong tụ điện nếu nó có điện ban đầu, hoặc giữ cho không có điện nếu nó trống. Ghi chú là bởi vì [[chiều dài]] của dòng bit có một độ trễ khá dài để tích điện trở lại tụ điện tế bào. Nó cần một khoảng thời gian trước khi kết thúc của bộ khuếch đại cảm nhận, và do đó có sự trùng với một hoặc nhiều cột.

Điện và từ tính là nguyên nhân gây ảnh hưởng bên trong hệ thống máy tính có thể dẫn đến một vài đơn vị dữ liệu của DRAM phát sinh chuyển đổi thành trạng thái ngược lại.Phần lớn các lỗi nhỏ trong các vi xử lý DRAM xảy ra như một hậu quả của bức xạ nền, chủ yếu là các neutron từ các [[tia vũ trụ]], nó có thể thay đổi thành phần của một hay nhiều tế bào lưu trữ hoặc gây cản trở các cho các [[mạch điện]] thường dùng để ghi hay truy xuất dữ liệu.Những nghiên cứu gần đây cho thấy sự thay đổi lớn về tỉ lệ lỗi về rối loạn dữ kiện với hơn 7 cấp độ khác nhau,phạm vi từ 1 bit lỗi/giờ/gigabyte đến 1 bit lỗi/thế kỷ/gigabyte.

Vấn đề có thể được giảm thiểu bằng cách sử dụng bộ nhớ dư và tăng thêm hệ thống mạch điện,dùng cách này có thể tìm và sửa được những lỗi hiện có.Trong hầu hết các trường hợp,sự phát hiện và sửa lỗi hợp lý được minh chứng bằng bộ kiểm soát bộ nhớ, nó có thể tách hoặc nhóm các mạch vào một [[CPU]];đôi khi,những yêu cầu hợp lý được thực thi một cách rõ ràng trong các vi xử lý và mô-đun của DRAM, cho phép thực hiện chức năng của bộ nhớ EEC thay cho các hệ thống EEC không đủ khả năng khác. Phần dữ liệu thêm được sử dụng để ghi lại tương ứng và cho phép các dữ liệu mất đi được xây dựng lại bằng mã sửa lỗi (EEC).Sự tương ứng này cho phép phát hiện tất cả các lỗi đơn dữ liệu. Những mã sửa lỗi thông dụng nhất,1 mã SECDEC Hamming,cho phép một lỗi đơn dữ liệu được sửa chữa,và trong một cấu hình thông thường,với một 1 bit dữ liệu thêm vào,lỗi đôi dữ liệu được tìm ra.

* Mẫu RAM có [[ngăn xếp]] và không có ngăn xếp

* 72-pin ([[32-bit]])

Chức năng này có thể đánh lừa các hệ thống bảo mật và [[khôi phục dữ liệu]] chứa trong bộ nhớ mặc dù cho rằng dữ liệu đó đã bị xóa (như do vấn đề cúp điện nếu chúng ta khởi động lại máy làm nguội con chip đồng thời chuyển đến một máy tính khác). Một cuộc tấn công như thế có thể đánh lừa việc mã hóa của hệ thống trong máy. Chẳng hạn như các nguồn mở TrueCrypt, Microsoft's BitLocker Drive Encryption và Apple's FileVault. Những cuộc tấn công như vậy được gọi là "khởi động và làm nguội ".