Molybden(II) silicide
Molybden đisilixua là một hợp chất vô cơ có thành phần gồm hai nguyên tố là molybden và silic, với công thức hóa học là MoSi2. Hợp chất này còn là là một loại vật liệu gốm chịu lửa với mục đích sử dụng chính trong các bộ phận làm nóng. Nó có mật độ vừa phải, nhiệt độ nóng chảy 2030 ℃, và có tính dẫn điện. Ở nhiệt độ cao, nó tạo thành tầng thụ động có thành phần là silic dioxide, bảo vệ khỏi quá trình oxy hóa. Hợp chất này là một vật liệu hợp chất kim loại màu xám với cấu trúc tinh thể bốn phương (dạng alpha) và dạng sáu cạnh không ổn định của dạng beta.[3] Nó không hòa tan trong hầu hết các axit nhưng hòa tan trong axit nitric và axit flohydric.
| Molybden(II) silicide | |
|---|---|
 Cấu trúc của molybden đisilixua | |
| Danh pháp IUPAC | Molybdenum disilicide |
| Nhận dạng | |
| Số CAS | |
| PubChem | |
| Thuộc tính | |
| Công thức phân tử | MoSi2 |
| Khối lượng mol | 152,12 g/mol |
| Bề ngoài | Chất rắn xám dạng kim loại |
| Khối lượng riêng | 6,26 g/cm³[1][2] |
| Điểm nóng chảy | 2.030 °C (2.300 K; 3.690 °F)[2] |
| Điểm sôi | |
| Độ hòa tan trong nước | không tan |
| Cấu trúc | |
| Cấu trúc tinh thể | Bốn phương (α-), lục phương (β-) |
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
Các thành phần làm lạnh của molybden đisilixua có thể được sử dụng khi nhiệt độ lên đến 1800 ℃, trong lò nung điện sử dụng trong phòng thí nghiệm và môi trường sản xuất trong các quy trình sản xuất thủy tinh, thép, điện tử, gốm sứ, và trong xử lý nhiệt các vật liệu. Ngoài ra, molybden đisilixua còn được sử dụng trong vi điện tử như một vật liệu tiếp xúc. Nó thường được sử dụng để tăng độ dẫn và tăng tốc độ tín hiệu.
Tham khảo
sửa- ^ A. Nørlund Christensen (1993). “Crystal growth and characterization of the transition metal silicides MoSi2 and WSi2”. Journal of Crystal Growth. 129 (1–2): 266–268. doi:10.1016/0022-0248(93)90456-7.
- ^ a b Soo-Jin Park; Min-Kang Seo (ngày 18 tháng 7 năm 2011). Interface Science and Composites. Academic Press. tr. 563–. ISBN 978-0-12-375049-5. Truy cập ngày 30 tháng 12 năm 2011.
- ^ F. M. d’Heurle, C. S. Petersson, and M. Y. Tsai (1980). “Observations on the hexagonal form of MoSi2 and WSi2 films produced by ion implantation and on related snowplow effects”. J. Appl. Phys. 51 (11): 5976. doi:10.1063/1.327517.Quản lý CS1: nhiều tên: danh sách tác giả (liên kết)
 |
Bài viết liên quan đến hóa học này vẫn còn sơ khai. Bạn có thể giúp Wikipedia mở rộng nội dung để bài được hoàn chỉnh hơn. |
